碳化硅的物理性能
1、碳化硅的熱導率及線膨脹系數(shù)。
作為一種耐火材料，碳化磚具有優(yōu)越的抗熱震性能。這一點具體表現(xiàn)在它具有高的熱導率(導熱系數(shù))和較低的線膨脹系數(shù)。一般工程計算上取碳化硅的導熱系數(shù)為6.28～9.63W.M-1.K-1。此值約為剛玉導熱系數(shù)的4倍。在25～1400℃范圍內(nèi)，碳化硅的平均線膨脹系數(shù)可取4.4×l0-6 K-1;而剛玉的線膨脹系數(shù)為(7～8)×l0-6 K-1。
2、碳化硅的導電性能。
碳化硅是一種半導體，其導電性能隨晶體中引入雜質(zhì)的種類和數(shù)量的不同而變化，電阻率在10-2-1012Ω·cm之間。其中對碳化硅導電性影響較大的雜質(zhì)是鋁、氮和硼，含鋁較多的碳化硅導電性顯著加大。碳化硅的導電性隨電場強度的加大而迅速提高，且具有非線性變化的特點。碳化硅的這一特性被用于制作避雷器閥片。
3、碳化硅的電阻率。
碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導電率又會下降。
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